1年高値3,220 円
1年安値878 円
出来高97 千株
市場東証1
業種機械
会計日本
EV/EBITDA16.2 倍
PBR2.6 倍
PSR・会予3.8 倍
ROA5.6 %
ROIC6.6 %
β1.40
決算7月末
設立日1979/9/1
上場日2001/5/30
配当・会予25 円
配当性向31.7 %
PEGレシオ1.8 倍
売上高(百万円)&収益性(%)
売上5y CAGR・予想:17.7 %
利益(百万円)
営利3y CAGR・予想:74.9 %
純利3y CAGR・予想:77.8 %
EPS(円) BPS(円)
配当(円)
健全性(%、倍)
セグメント別売上
単一セグメント、もしくはIFRS / USGAAPのため、データがありません。
セグメント別売上
単一セグメント、もしくはIFRS / USGAAPのため、データがありません。
セグメント別利益率
単一セグメント、もしくはIFRS / USGAAPのため、データがありません。
会社の詳細

3【事業の内容】

当社は、半導体等電子部品製造装置メーカーで、薄膜形成・加工装置の製造及び販売を事業としております。

当社の製品は、薄膜を形成するCVD(Chemical Vapor Deposition=化学的気相成長)装置、薄膜を微細加工するエッチング装置、基板表面などをクリーニングする洗浄装置、その他装置等に区分されます。

(1)各々の装置分類毎の概要は次のとおりであります。

装置区分

概          要

CVD装置

反応性の気体を基板上に供給し、化学反応によって薄膜を形成する装置で、一般に半導体、電子部品製造のための半導体膜、絶縁膜、金属膜などを形成するために使われます。当社が開発したLS(Liquid Source)-CVD装置では、引火爆発性のあるガスを使用せず安全性に優れた液体原料を用いて、低温で均一性に優れた薄膜を高速で形成することが可能であります。

平成27年12月から販売を開始した原子層堆積装置(ALD=Atomic Layer Deposition)はCVD装置に分類しております。ALD装置は、反応室に有機金属原料と酸化剤を交互に供給し、表面反応のみを利用して成膜を行う装置であり、高い膜厚制御性と良好な段差被覆性を実現することが可能であります。

エッチング装置

各種半導体基板上の半導体薄膜、絶縁膜をはじめ微細加工が必要な材料をドライ加工する装置で、反応性の気体をプラズマ分解し、目的物と反応させて蝕刻いたします。当社独自のトルネードICP(Inductively Coupled Plasma=高密度プラズマ)を利用するエッチング装置では、高密度プラズマを安定して生成し、高速で高精度の微細加工が可能であります。

洗浄装置

実装基板や各種半導体基板などを溶液を用いずドライ洗浄する装置で、減圧下で反応性の気体をプラズマ放電させて処理する装置や紫外線と高濃度オゾンの併用で処理する装置などがあります。当社のドライ洗浄装置は、ウエット洗浄では難しい超精密洗浄を高効率で行うことが可能であります。

平成28年9月より販売を開始した水蒸気(H2O)を用いたプラズマ処理装置であるAqua Plasma(アクアプラズマ)洗浄装置は、金属酸化膜の還元、有機汚れの洗浄、樹脂接合、超親水化などの表面処理を、安全で環境に優しく行うことが可能であります。

その他装置

上記装置には含まれない特別な装置であります。

その他

部品、保守メンテナンスなどであります。

 

(2)当社事業の用途別区分は次のとおりであります。

用    途

概          要

オプトエレクトロニクス分野

主に化合物半導体から作られるLED(Light Emitting Diode=発光ダイオード)やマイクロLED、LD(Laser Diode=半導体レーザー)、面発光レーザー(VCSEL)などの発光デバイスのほか、電気信号を光信号に変換したり、逆に光信号を電気信号に変換したりする光通信用デバイスなどに関する分野であります。

電子部品分野

パワーデバイス・高周波デバイス・各種センサー・MEMS(Micro Electro Mechanical Systems=微小電気機械素子)・SAW(Surface Acoustic Wave=弾性表面波)デバイス・水晶デバイス・磁気ヘッドなどに関する分野であります。

シリコン分野

三次元LSI(Large Scale Integrated circuit)・三次元パッケージやウェハー欠陥解析などに関する分野であります。

実装・表面処理分野

ICのパッケージングの洗浄や表面処理に関する分野であります。高密度実装に対応するために基板はますます小型化、薄型化、多ピン化しており、高度な洗浄機能が要求されております。

表示デバイス分野

有機EL(Electro Luminescence)、LCD(Liquid Crystal Display=液晶表示素子)、PDP(Plasma Display Panel)などに関する分野であります。

その他分野

上記以外の分野であります。

部品・メンテナンス

部品・メンテナンスに関する分野であります。

 

当社の装置の製造に関しては、自社の設計企画により協力会社に製造を委託し、製品出荷の前に独自のプログラムソフトを入力し、仕様検査・出荷検査を経て販売しております。販売に関しては営業所を通じて行うとともに、海外については一部現地販売代理店に委託しております。

当社は、半導体等電子部品製造装置の製造及び販売事業の単一セグメントであり、以上述べた関係を図示すると次のとおりであります。

(業態系統図)

(画像は省略されました)

 

(注)台湾を中心とする保守サービス業務は現地法人「莎姆克股份有限公司」へ委託しております。

 

3【経営者による財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況の分析】

(1)経営成績等の状況の概要

①経営成績の状況

当事業年度におけるわが国経済は、企業収益や雇用・所得環境の改善を背景に緩やかに拡大いたしました。一方、世界経済は米中間の貿易摩擦問題や、英国のEU離脱など経済政策を巡る不確実性が高まっていることも影響し、中国や欧州を中心に減速の動きが見られ、先行き不透明感が強まる状況で推移いたしました。

当社を取り巻く半導体等電子部品業界におきましては、当社の関わる化合物半導体及び電子部品製造装置の販売マーケットにおいて、新たなモバイル機器や車載センサーなどの電子部品分野、あるいはMEMS(Micro Electro Mechanical Systems=微小電気機械素子)といった先端分野での研究開発投資が幅広い企業で進み、その中から本格生産への移行も進んでおります。

このような状況の下、前事業年度に引き続き、オプトエレクトロニクス分野の通信用レーザーや、電子部品分野の高周波デバイス、パワーデバイス、MEMS、各種センサー等向け製造装置の受注活動、新製品の拡販に注力してまいりました。しかしながら、スマートフォン市場の需要低迷及び米中貿易摩擦の影響による中国経済の減速が、当社の主要取引先である電子部品メーカーの設備投資判断に影響していることにより、受注高は伸び悩みの傾向が続きました。その結果、国内売上高は3,161百万円(前期比1.9%減)、海外売上高は1,774百万円(前期比20.9%減)となりました。

以上の結果、当事業年度における業績は、売上高が4,936百万円(前期比9.7%減)、営業利益は327百万円(前期比48.6%減)、経常利益は305百万円(前期比52.5%減)、当期純利益は215百万円(前期比47.1%減)となりました。

主な品目別の売上高は、次のとおりであります。なお、当社は半導体等電子部品製造装置の製造及び販売事業の単一セグメントであるためセグメント毎の記載はしておりません。

(CVD装置)

オプトエレクトロニクス分野の半導体レーザー、電子部品分野のパワーデバイスにおける各種絶縁膜、保護膜形成用途での販売があったものの、生産機の販売が減少し、売上高は429百万円(前期比52.5%減)となりました。(エッチング装置)

オプトエレクトロニクス分野での半導体レーザーや面発光レーザー(VCSEL)、電子部品分野の車載用パワーデバイスや各種センサー、シリコン分野での欠陥解析向けでの販売がありましたが、生産機の販売がやや減少したため、売上高は2,801百万円(前期比15.9%減)となりました。

(洗浄装置)

半導体パッケージの表面洗浄やワイヤーボンディング前の電極洗浄等での幅広い需要があり、また新製品のアクアプラズマも販売に寄与し、売上高は762百万円(前期比52.0%増)となりました。

(その他)

既存装置のメンテナンスや部品販売、装置の移設・改造などが大幅に増加し、売上高は942百万円(前期比29.5%増)となりました。

 

②財政状態の状況

(流動資産)

当事業年度末における流動資産の残高は、7,284百万円で前事業年度末に比べ30百万円減少いたしました。

(固定資産)

当事業年度末における固定資産の残高は、3,499百万円で前事業年度末に比べ94百万円減少いたしました。

(流動負債)

当事業年度末における流動負債の残高は、1,678百万円で前事業年度末に比べ139百万円減少いたしました。

(固定負債)

当事業年度末における固定負債の残高は、824百万円で前事業年度末に比べ12百万円増加いたしました。

(純資産)

当事業年度末における純資産の残高は、8,280百万円で前事業年度末に比べ2百万円増加いたしました。自己資本比率は76.8%と前事業年度末比0.9ポイント上昇いたしました。

なお、「『税効果会計に係る会計基準』の一部改正」(企業会計基準第28号  平成30年2月16日)を当事業年度の期首から適用しており、財政状態については遡及処理後の前事業年度末の数値で比較を行っております。

 

③キャッシュ・フローの状況

当事業年度における現金及び現金同等物(以下「資金」という)は、前事業年度末に比べ267百万円増加し、2,753百万円(前事業年度末比10.7%増)となりました。

当事業年度における各キャッシュ・フローの状況は以下の通りであります。

(営業活動によるキャッシュ・フロー)

営業活動の結果得られた資金は857百万円(前期に使用した資金は223百万円)となりました。これは主に法人税等の支払額が202百万円に対して、売上債権の減少が862百万円、税引前当期純利益が305百万円であったことによるものです。

(投資活動によるキャッシュ・フロー)

投資活動の結果使用した資金は396百万円(前期に得られた資金は23百万円)となりました。その主な内容は、定期預金の払戻による収入が3,047百万円、貸付金の回収による収入が58百万円に対して、定期預金の預入による支出が3,398百万円、有形固定資産の取得による支出が69百万円、貸付けによる支出が33百万円であったことによるものです。

(財務活動によるキャッシュ・フロー)

財務活動の結果使用した資金は171百万円(前期比25.0%減)となりました。これは主に配当金の支払額が160百万円であったことによるものです。

 

(2)生産、受注及び販売の実績

当社は、半導体等電子部品製造装置の製造及び販売事業の単一セグメントであるため、生産、受注及び販売の実績については、当社の品目別に記載しております。

①生産実績

当事業年度の生産実績を品目別に示すと、次のとおりであります。

品目別

当事業年度

(自  平成30年8月1日

至  令和元年7月31日)

前年同期比(%)

CVD装置(千円)

464,679

46.9

エッチング装置(千円)

3,209,426

95.1

洗浄装置(千円)

844,982

140.1

その他(千円)

985,438

120.6

合計(千円)

5,504,527

95.1

(注)1.金額は販売価格によっております。

2.上記の金額には、消費税等は含まれておりません。

②受注実績

当事業年度の受注実績を品目別に示すと、次のとおりであります。

品目別

受注高(千円)

前年同期比(%)

受注残高(千円)

前年同期比(%)

CVD装置

538,974

59.2

349,770

145.6

エッチング装置

2,660,577

65.4

1,203,529

89.5

洗浄装置

910,234

140.3

386,086

162.0

その他

882,080

106.3

138,316

69.6

合計

4,991,866

77.3

2,077,702

102.8

(注)1.金額は販売価格によっております。

2.上記の金額には、消費税等は含まれておりません。

③販売実績

当事業年度の販売実績を品目別に示すと、次のとおりであります。

品目別

当事業年度

(自  平成30年8月1日

至  令和元年7月31日)

前年同期比(%)

CVD装置(千円)

429,499

47.5

エッチング装置(千円)

2,801,583

84.1

洗浄装置(千円)

762,450

152.0

その他(千円)

942,598

129.5

合計(千円)

4,936,132

90.3

(注)1.最近2事業年度の主な相手先別の販売実績及び当該販売実績の総販売実績に対する割合は、次のとおりであります。

相手先

前事業年度

(自  平成29年8月1日

至  平成30年7月31日)

当事業年度

(自  平成30年8月1日

至  令和元年7月31日)

金額(千円)

割合(%)

金額(千円)

割合(%)

日亜化学工業(株)

775,561

15.7

ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング(株)

602,139

11.0

2.前事業年度の日亜化学工業(株)および当事業年度のソニーセミコンダクタマニュファクチャリング(株)については、当該割合が100分の10未満のため記載を省略しております。

3.上記の金額には、消費税等は含まれておりません。

 

(3)経営者の視点による経営成績等の状況に関する分析・検討内容

文中の将来に関する事項は、当事業年度末現在において判断したものであります。

 

①重要な会計方針及び見積り

当社の財務諸表は、わが国において一般に公正妥当と認められている会計基準に基づき作成されております。当社は、財務諸表の作成には、経営者による会計方針の選択・適用、資産・負債及び収益・費用の報告金額及び開示に影響を与える見積りを必要としております。これらの見積りについては、過去の実績等を勘案し合理的に判断しておりますが、実際の結果は見積りによる不確実性のため、これらの見積りとは異なる場合があります。

 

②財政状態の分析

(流動資産)

当事業年度末における流動資産の残高は、7,284百万円で前事業年度末に比べ30百万円減少いたしました。現金及び預金が606百万円、たな卸資産が252百万円増加した一方、売上債権が862百万円減少したのが主な要因であります。

(固定資産)

当事業年度末における固定資産の残高は、3,499百万円で前事業年度末に比べ94百万円減少いたしました。保有する投資有価証券の時価が下落したことにより投資有価証券が69百万円減少したのが主な要因であります。

(流動負債)

当事業年度末における流動負債の残高は、1,678百万円で前事業年度末に比べ139百万円減少いたしました。未払法人税等が142百万円減少したのが主な要因であります。

(固定負債)

当事業年度末における固定負債の残高は、824百万円で前事業年度末に比べ12百万円増加いたしました。役員退職慰労引当金が9百万円増加したのが主な要因であります。

(純資産)

当事業年度末における純資産の残高は、8,280百万円で前事業年度末に比べ2百万円増加いたしました。その他有価証券評価差額金が52百万円減少した一方、利益剰余金が54百万円増加したのが主な要因であります。自己資本比率は76.8%と前事業年度末に比べ0.9ポイント上昇いたしました。

 

経営成績の分析

当事業年度の売上高、売上総利益、販売費及び一般管理費、営業利益、経常利益、特別利益及び特別損失、当期純利益の詳細は以下のとおりであります。

(売上高)

売上高は前事業年度より9.7%減少し、4,936百万円となりました。国内売上高は前事業年度より1.9%減少し3,161百万円となり、海外売上高は前事業年度より20.9%減少し1,774百万円となりました。その結果、海外売上高比率は36.0%となりました。

(売上総利益)

売上総利益は前事業年度より12.5%減少し、2,270百万円となりました。売上総利益率は、前事業年度より1.5ポイント悪化し、46.0%となりました。

(販売費及び一般管理費)

販売費及び一般管理費は前事業年度より0.8%減少し、1,942百万円となりました。

(営業利益、経常利益)

営業利益は前事業年度より48.6%減少し、327百万円となりました。

経常利益は前事業年度より52.5%減少し、305百万円となりました。

(特別利益及び特別損失)

特別利益はありませんでした。

特別損失はありませんでした。

(当期純利益)

当期純利益は前事業年度より47.1%減少し、215百万円となりました。

 

当事業年度の経営成績は前事業年度に比べ減収減益となりました。

なお、業績の詳細、主な品目別の売上高の詳細については、「(1)経営成績等の状況の概要  ①経営成績の状況」に記載のとおりであります。

 

経営成績に重要な影響を与える要因や、当該要因への対応について

「第2  事業の状況  2  事業等のリスク」に記載のとおりであります。

 

⑤資本の財源及び資金の流動性についての分析

当社の資金状況は、当事業年度末における現金及び現金同等物の残高が前事業年度末に比べ267百万円増加し、2,753百万円(前事業年度末比10.7%増)となりました。キャッシュ・フローの状況については、「(1)経営成績等の状況の概要  ③キャッシュ・フローの状況」に記載のとおりであります。

なお、直近5事業年度におけるキャッシュ・フロー指標の推移は、次のとおりであります。

 

第36期

第37期

第38期

第39期

第40期

自己資本比率 (%)

73.0

78.6

79.0

75.9

76.8

時価ベースの自己資本比率 (%)

82.7

61.4

72.7

89.8

67.2

債務償還年数 (年)

4.9

0.7

2.8

0.9

インタレスト・カバレッジ・レシオ(倍)

28.1

221.4

75.3

243.9

(注) 1.各指標は、下記の基準で算出しております。

・自己資本比率:自己資本/総資産

・時価ベースの自己資本比率:株式時価総額/総資産

・債務償還年数:有利子負債/営業キャッシュ・フロー

・インタレスト・カバレッジ・レシオ:営業キャッシュ・フロー/利払い

2.第39期の債務償還年数及びインタレスト・カバレッジ・レシオは、営業キャッシュ・フローがマイナスであるため記載しておりません。

 

経営方針、経営戦略、経営上の目標の達成状況を判断するための客観的な指標等

経営方針、経営戦略、経営上の目標の達成状況を判断するための客観的な指標等については、「第2  事業の状況  1  経営方針、経営環境及び対処すべき課題等  (2目標とする経営指標」に記載のとおり、売上高総利益率、売上高経常利益率、海外売上高比率を中長期的な経営の重要指標としており、当事業年度における各指標等の実績は次のとおりであります。

今後についても、更なる原価低減、コスト低減に取り組みながら、海外販売の拡大を進めることで、引き続き中長期的な経営の重要指標の目標達成に努めてまいります。

 

中長期的な

目標

実績

売上高総利益率

50.0%

46.0%

売上高経常利益率

20.0%

6.2%

海外売上高比率

50.0%

36.0%

2【事業等のリスク】

有価証券報告書に記載した事業の状況、経理の状況等に関する事項のうち、投資者の判断に重要な影響を及ぼす可能性のある事項には、以下のようなものがあります。

当社ではこれらリスクの発生を充分に認識した上で、その発生を回避するための対応策を中期経営計画の対処すべき課題に組み入れております。また、リスクが顕在化した場合に備え、ガバナンス体制の強化、維持を進めております。

なお、文中における将来に関する事項は、当事業年度末現在において当社が判断したものであります。

 

(1) 設備投資動向の影響について

当社は、半導体等電子部品製造装置の製造及び販売を行っております。当社が事業を展開する化合物半導体市場は、LED、LDなどのオプトエレクトロニクス分野や、高周波デバイス、各種センサー、MEMS、パワーデバイスなどの電子部品分野を中心に、大きな成長が期待されていますが、その反面、ニーズや経済環境の変化によっては、需給バランスが大きく崩れることもあり、これに伴う顧客の設備投資の凍結や減産、計画変更等が発生した場合、当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。

(2) カントリーリスクについて

当社は、北米、欧州、中国、台湾、韓国、東南アジア、インド等の世界各国で事業を行っており、今後も海外市場での拡販は当社の重要な経営課題となっております。しかしながら、海外事業展開においては、各国の法令、政治・社会情勢、文化宗教、商慣習の違いに起因するリスクに対処できないことにより、想定通りの成果を上げることができない可能性があり、この場合には当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。

(3) 特定地域、特定顧客への販売依存度について

生産用途向け製品の売上高比率の増加に伴い、海外の特定地域や国内外の特定顧客からの受注が集中することにより、売上高が大きく増減する可能性があります。特定地域、特定顧客の設備投資が低迷し装置需要が減少した場合には、当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。

(4) 新製品開発リスクについて

当社は、半導体製造装置業界におけるCVD装置、エッチング装置、洗浄装置において、顧客が求めるニーズに対応した研究開発を継続的に実施し、新製品をタイムリーに市場投入してまいりました。しかしながら、技術革新や製品開発のスピードが速い半導体製造装置業界において、将来のニーズを予測し、それに見合った新製品を開発し続けることは容易ではありません。他社製品に対して優位性ある新製品をタイムリーに適正な価格で市場に投入できない場合、市場の技術トレンドや製品仕様が当社の開発内容と異なる方向に向かった場合、あるいは当社の新製品の開発が著しく遅れた場合は、当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。

(5) 資材等の調達に関するリスクについて

当社の生産活動には、原材料、部品等が適時、適切に納入されることが必要ですが、原材料、部品等の一部については、その特殊性から仕入先や外注先が限定されているものや代替の困難なものがあります。当社では、仕入先や外注先と長年にわたり良好な関係を維持し、複数社購買を実施するなど安定的な調達を図っておりますが、仕入先や外注先の災害や事故に加え、人手不足や後継者難による廃業・倒産等で、部品の安定的調達が確保できない可能性があります。その場合は、製品の出荷遅延による機会損失等が発生し、当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。

(6) 人材の確保と育成について

当社の持続的成長を実現するため、高度なスキルを有する管理者、技術者、営業担当者、メンテナンス・サービス要員の確保と育成は極めて重要であり、社員の教育を体系的・継続的に実施する必要があります。しかしながら、必要な人材の確保が計画通りに進まなかった場合には、当社の将来の成長と業績に悪影響を及ぼす可能性があります。

(7) 製造物責任につい

当社が提供する製品は、厳しい品質管理のもとに設計・製造されておりますが、万一顧客に深刻な損失をもたらした場合には損失に対する責任を問われる可能性があります。さらに、これらの問題による当社の企業イメージの低下は、当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。

(8) 知的財産権について

当社は、独自技術の専有化、他社製品との差別化及び競争力強化のために、様々な技術やノウハウを開発しており、その技術やノウハウが第三者の特許権その他の知的財産権を侵害しないよう厳重に管理しております。しかしながら、既に多くの特許権その他の知的財産権が存在し、日々新しい特許権その他の知的財産権が次々と取得される中で、見解の相違などにより第三者から特許権侵害等で提訴される可能性があります。また、当社の事業展開に必要な技術についてライセンスを取得できなかった場合には、当社の事業に悪影響を及ぼす可能性があります。

(9) 債権回収リスクについて

当社は顧客に関する信用リスクの管理強化策や軽減策を実施しておりますが、経済状況の急変により予想外の倒産や支払遅延が発生した場合には、当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。

(10) 為替リスクについて

当社の海外取引のうちアジア向けは原則日本円建、欧米向けは原則米国ドル建でありますが、今後も海外取引を拡大する方針であり米国ドル建の取引が増加することになれば為替予約を活用したとしても為替変動リスクを被る可能性があります。また、当社は外貨建資産(未予約の現預金等)も保有しております。そのため、円建資産に転換する場合だけでなく財務諸表作成のための換算においても為替変動の影響を受ける可能性があります。

(11) 情報セキュリティについて

当社は、事業遂行にあたり、重要情報や取引先等の秘密情報を有しております。これらの情報については、法令や社内規程に基づき厳格に管理しておりますが、予期せぬ事態によってこれらの情報が漏洩した場合、当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。

(12) 災害等による影響について

当社は災害等による影響を最小限に留めるため必要とされる安全対策や事業の早期復旧のための対策を実施しておりますが、大規模な台風や地震等の自然災害、疫病の流行、テロ、大規模な停電、火災、事故等の不測の事態が発生した場合、本社機能や製品生産に影響を与え、当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。

 

2【沿革】

年月

事項

昭和54年9月

半導体製造装置の製造及び販売を目的として株式会社サムコインターナショナル研究所を設立

昭和55年7月

国産初のプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)装置の開発、販売を開始

昭和59年7月

東京都品川区に東京出張所(現東日本営業部)を開設

昭和60年6月

京都市伏見区竹田田中宮町33番地(現藁屋町36番地)に本社を移転

昭和62年2月

米国カリフォルニア州にオプトフィルムス研究所を開設

平成3年3月

京都市伏見区に研究開発センターを開設

平成5年2月

茨城県土浦市につくば出張所(現つくば営業所)を開設

平成5年9月

愛知県愛知郡長久手町に東海営業所(現東海支店)を開設

平成7年7月

薄膜技術を使った特定フロン無公害化技術の基本技術を開発

平成9年11月

キリンビール株式会社と共同で、プラスチックボトルにDLC(ダイヤモンド・ライク・カーボン)膜を形成する技術を開発

平成11年7月

サムコエンジニアリング株式会社より、サービス部門の営業を譲受け

平成12年1月

英国ケンブリッジ大学内に研究所を開設

平成13年5月

日本証券業協会に株式を店頭上場

公募増資により資本金を1,213,787千円に増資

平成13年7月

台湾新竹市に台湾事務所を開設(平成21年1月に閉鎖)

平成14年7月

生産技術研究棟(京都市伏見区)の改修工事完了

平成15年12月

(独)ロバート・ボッシュ社よりシリコンの高速ディープエッチング技術を導入

平成16年11月

中国上海市に上海事務所を開設

平成16年12月

株式会社サムコインターナショナル研究所からサムコ 株式会社へ社名を変更

平成16年12月

株式売買単位を1,000株から100株に変更

平成16年12月

日本証券業協会への店頭登録を取消し、ジャスダック証券取引所に株式を上場

平成17年9月

英国ケンブリッジ大学との共同開発「強誘電体ナノチューブの量産技術」を英企業に技術供与

平成18年3月

製品サービスセンターを新設

平成18年9月

中国清華大学とナノ加工技術の共同研究で調印

平成20年3月

京都市伏見区に第二研究開発棟を開設

平成20年10月

台湾に保守サービスのための現地法人「莎姆克股份有限公司」を設立

平成21年1月

「莎姆克股份有限公司」が営業を開始

平成22年4月

ジャスダック証券取引所と大阪証券取引所の合併に伴い、大阪証券取引所JASDAQ市場(現  東京証券取引所JASDAQ(スタンダード))に上場

平成22年8月

米国ノースカロライナ州に米国東部事務所を開設(平成26年5月にニューヨーク州へ移転、平成29年1月にニュージャージー州へ移転)

平成22年9月

中国北京市に北京事務所を開設

平成24年5月

ベトナムホーチミン市にベトナムサービスオフィスを開設(平成30年9月に閉鎖)

平成25年7月

東京証券取引所JASDAQ(スタンダード)から市場第二部へ市場変更

平成25年10月

SiCパワーデバイス向け本格量産用ドライエッチング装置RIE-600ⅰPCの開発、販売を開始

平成25年11月

MEMS向け本格量産用ドライエッチング装置RIE-800ⅰPBCの開発、販売を開始

平成26年1月

東京証券取引所市場第二部から同第一部銘柄に指定

平成26年3月

米国Valence Process Equipment,Inc.とMOCVD装置の販売代理店契約を締結

平成26年5月

リヒテンシュタイン公国UCP Processing Ltd.の株式90%を取得し子会社化(samco-ucp AGに社名変更)

平成26年9月

福岡市中央区に福岡営業所を開設

平成27年9月

公募増資により資本金を1,663,687千円に増資

平成27年12月

スウェーデンEpiluvac ABとSiCエピタキシャル成膜装置の販売代理店契約を締結

電子デバイス向け原子層堆積装置AL-1の開発、販売を開始

平成28年6月

第二生産技術棟(京都市伏見区)が完成

平成28年8月

マレーシアにマレーシア事務所を開設

平成28年9月

Aqua Plasmaを用いたプラズマ洗浄装置AQ-2000の開発、販売を開始

平成30年12月

ドライエッチング装置RIE-200iPNの開発、販売を開始

(5)【所有者別状況】

 

 

 

 

 

 

 

(令和元年7月31日現在)

区分

株式の状況(1単元の株式数100株)

単元未満株式の状況

(株)

政府及び地方公共団体

金融機関

金融商品取引業者

その他の法人

外国法人等

個人その他

個人以外

個人

株主数(人)

25

32

39

25

3

5,753

5,877

所有株式数(単元)

14,193

1,931

18,572

1,719

74

43,654

80,143

28,581

所有株式数の割合(%)

17.7

2.4

23.2

2.1

0.1

54.5

100.0

(注)  自己株式9,564株は「個人その他」に95単元及び「単元未満株式の状況」に64株を含めて記載しております。

3【配当政策】

当社は株主の皆様への利益還元を経営の重点政策として位置付けております。経営体質の強化と研究開発のための設備投資等のために必要な内部留保を確保しつつ、安定した配当を継続する基本方針のもと、余剰資金については業績連動的な配当の考え方を合わせて取り入れております。

また、当社は期末配当として年1回の剰余金の配当を行うことを基本方針としており、期末配当については株主総会にて決定しております。なお、当社は、「取締役会の決議により、毎年1月31日を基準日として、中間配当を行うことができる。」旨を定款に定めております。中間配当については、年間を通じての出荷平準化の取組により第2四半期累計期間での利益確保を前提に早期の実施を目指しております。

当事業年度の配当については、上記方針に基づき1株につき普通配当20円00銭を実施することを決定いたしました。

内部留保資金については、今後予想される経営環境の変化に対応すべく、市場ニーズに応える技術・製品開発体制を強化し、更には、グローバル戦略の展開を図るために有効投資してまいりたいと考えております。

なお、当事業年度に係る剰余金の配当は以下のとおりであります。

決議年月日

配当金の総額

(千円)

1株当たり配当額(円)

令和元年10月18日

160,666

20.00

定時株主総会決議

(2)【役員の状況】

①  役員一覧

男性10名  女性-名  (役員のうち女性の比率-%)

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有

株式数

(千株)

代表取締役

会長兼CEO

辻  理

昭和17年3月7日

 

昭和52年3月

サムコインターナショナル創業

昭和54年9月

当社設立、代表取締役社長

昭和61年6月

サムコエンジニアリング(株)設立、代表取締役(現任)

平成26年10月

当社代表取締役会長兼社長

平成28年4月

(一財)サムコ科学技術振興財団理事長(現任)

平成28年10月

当社代表取締役会長兼CEO新規事業統括

平成29年9月

当社代表取締役会長兼社長兼CEO新規事業統括

平成30年10月

当社代表取締役会長兼CEO(現任)

 

(注)3

1,005

代表取締役

社長兼COO

川邊  史

昭和49年12月7日

 

平成11年4月

中部電力(株)入社

平成20年7月

当社入社

平成22年11月

当社執行役員オプトフィルムス研究所部長

平成24年10月

当社取締役執行役員オプトフィルムス研究所部長

平成26年11月

当社取締役常務執行役員海外事業推進兼新規事業担当

平成28年10月

当社取締役常務執行役員海外事業統括

平成28年11月

当社取締役副社長執行役員海外事業統括

平成29年10月

当社取締役専務執行役員海外事業統括

平成30年10月

当社代表取締役社長兼COO(現任)

 

(注)3

22

取締役

副社長兼営業統括部長

石川  詞念夫

昭和32年6月20日

 

昭和56年4月

当社入社

平成8年8月

当社東京営業部長

平成10年10月

当社取締役東京営業部長

平成16年9月

当社取締役営業本部長

平成20年11月

当社取締役営業部門統括部長

平成22年11月

当社取締役執行役員営業部門統括部長

平成23年11月

当社取締役常務執行役員営業部門統括部長

平成24年11月

当社取締役副社長執行役員営業統括部長

平成27年10月

当社取締役副社長執行役員営業統括部長兼営業技術部長

平成28年10月

当社代表取締役社長兼COO国内事業統括

平成29年9月

当社代表取締役副社長兼COO国内事業統括

平成30年10月

当社取締役副社長兼営業統括部長(現任)

 

(注)3

27

取締役

管理統括部長

兼経理部長

兼経営企画室長

竹之内  聡一郎

昭和33年10月31日

 

昭和56年4月

(株)三和銀行(現 (株)三菱UFJ銀行)入社

平成24年8月

当社入社

平成24年11月

当社執行役員管理統括部長兼経理部長兼経営企画室長

平成26年10月

当社取締役執行役員管理統括部長兼経理部長兼経営企画室長

平成28年11月

当社取締役常務執行役員管理統括部長兼経理部長兼経営企画室長

平成29年10月

当社取締役上席執行役員管理統括部長兼経理部長兼経営企画室長

平成30年10月

当社取締役常務執行役員管理統括部長兼経理部長兼経営企画室長(現任)

 

(注)3

4

 

 

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有

株式数

(千株)

取締役

生産統括部長

兼製造部長

山下  晴彦

昭和40年4月12日

 

昭和59年4月

ローム(株)入社

平成8年1月

当社入社

平成26年11月

当社製造部長

平成28年11月

当社執行役員生産副統括部長兼製造部長

平成30年10月

当社取締役執行役員生産統括部長兼製造部長(現任)

 

(注)3

4

取締役

  (注)1

村上  正紀

昭和18年11月28日

 

昭和46年4月

京都大学工学研究科研究員

昭和46年6月

米国カリフォルニア大学(UCL

A)研究員

昭和50年2月

米国IBMワトソン中央研究所研究員

昭和58年12月

米国IBMワトソン中央研究所薄膜材料部門マネジャー

平成2年8月

京都大学工学部教授

平成8年4月

京都大学大学院工学研究科教授

平成19年3月

京都大学名誉教授(現任)

平成19年4月

学校法人立命館副総長

立命館大学グローバルイノベーション研究機構教授

平成26年10月

当社社外取締役(現任)

平成27年1月

学校法人立命館理事補佐

立命館大学特別招聘研究教授

平成30年4月

学校法人立命館学長特別補佐(現任)

 

(注)3

0

取締役

  (注)1

小林  弘明

昭和17年3月4日

 

昭和39年4月

東洋レーヨン(株)(現 東レ(株))

入社

昭和49年10月

米国カリフォルニア州立大学バークレー校化学工学科博士課程修了

平成17年6月

東レ(株)代表取締役副社長

平成19年6月

東レ(株)相談役

平成20年10月

当社社外監査役

平成21年6月

東レ(株)顧問(現任)

平成28年10月

当社社外取締役(現任)

 

(注)3

1

監査役(常勤)

辻村  茂

昭和27年3月10日

 

昭和50年5月

(株)佐野家入社

平成3年4月

当社入社

平成18年1月

当社総務部長

平成23年11月

当社執行役員総務部長

平成24年10月

当社常勤監査役(現任)

 

(注)4

8

監査役

  (注)2

木村  隆之

昭和16年1月21日

 

昭和41年4月

大阪ガス(株)入社

昭和62年10月

京都リサーチパーク(株)取締役

昭和63年5月

(株)サイエンスセンターインターナショナル常務取締役

平成13年8月

シー・デザイン(株)代表取締役(現任)

平成13年10月

当社社外監査役(現任)

 

(注)4

監査役

  (注)2

西尾  方宏

昭和27年9月9日

 

昭和49年11月

監査法人大和会計事務所(現 有限責任 あずさ監査法人)入所

(平成26年12月まで)

昭和53年3月

公認会計士登録

平成13年7月

朝日監査法人(現 有限責任 あずさ監査法人)代表社員(現パートナー)

平成24年1月

立命館大学大学院経営管理研究科教授

平成27年1月

西尾公認会計士事務所所長(現任)

平成27年6月

(株)島津製作所社外監査役(現任)

平成28年6月

(株)マンダム社外監査役(現任)

平成28年10月

当社社外監査役(現任)

 

(注)4

1,075

  (注)1.取締役村上正紀及び小林弘明は、社外取締役であります。

2.監査役木村隆之及び西尾方宏は、社外監査役であります。

3.取締役の任期は、平成30年7月期に係る定時株主総会終結の時から令和2年7月期に係る定時株主総会終結の時までであります。

4.監査役の任期は、平成28年7月期に係る定時株主総会終結の時から令和2年7月期に係る定時株主総会終結の時までであります。

5.当社は、法令に定める監査役の員数を欠くことになる場合に備え、会社法第329条第3項に定める補欠監査役1名を選任しております。補欠監査役の略歴は次のとおりであります。

氏名

生年月日

略歴

所有

株式数
(千株)

高須 秀視

昭和23年1月5日生

昭和46年3月

ローム(株)入社

平成9年6月

ローム(株)取締役ULSI研究開発本部副本部長

平成21年6月

ローム(株)常務取締役LSI統括本部長兼研究開発担当

平成21年10月

ローム(株)常務取締役研究開発本部長

平成25年5月

ローム(株)常務取締役品質担当、研究開発本部長

平成25年7月

ローム(株)常務取締役新規事業創出担当、品質担当

平成29年8月

当社顧問

平成30年10月

令和元年6月

当社補欠監査役(現任)

(株)SCREENホールディングス社外取締役(現任)

6.サムコエンジニアリング(株)は、当社代表取締役会長辻理の資産管理会社であります。

7.当社代表取締役会長辻理は、サムコエンジニアリング(株)の代表取締役及び(一財)サムコ科学技術振興財団の理事長を兼務しております。

8.代表取締役社長川邊史は当社代表取締役会長辻理の子の配偶者であります。

9.所有株式数には、株式累積投資による取得持株数を含めた実質持株数を記載しております。なお、令和元年8月1日以降の株式累積投資による取得株式数は、提出日(令和元年10月18日)現在確認できないため、令和元年7月31日現在の実質持株数を記載しております。

10.当社では、コーポレート・ガバナンスの重要性が高まるなか、経営の意思決定及び監督機能と業務執行機能を分離することで、役割・責任の明確化、経営・業務執行の迅速化を図るため執行役員制度を導入しております。なお、令和元年10月21日付の人事異動で、執行役員は以下の8名となる予定であります。

常務執行役員      竹之内  聡一郎    (取締役  管理統括部長兼経営企画室長)

執行役員          山下  晴彦        (取締役  生産統括部長兼製造部長)

執行役員          関  仲修          (社長室長)

執行役員          ピーター・ウッド  (USオペレーション担当部長)

執行役員          本山  慎一        (開発部長兼基盤技術研究所長)

執行役員          佐藤  清志        (営業推進部長)

執行役員(再任)  外山  信一        (東日本営業部長)

執行役員(新任)  宮本  省三        (経理部長)

 

②  社外役員の状況

当社の社外取締役は2名、社外監査役は2名であります。

社外取締役であります村上正紀氏は、学校法人立命館学長特別補佐として豊富な学識と幅広い見識を有しており、海外企業の研究分野で培った高度な経験を活かして、業務執行に対する一層の監督機能を果たしております。また、社外取締役であります小林弘明氏は、東レ(株)における技術担当役員としての豊富な経営経験や、化学業界で培ったビジネス経験に基づき、独立した立場から活発に意見を述べ、その職責を十分に果たしていただいております。

社外取締役2名と当社との間に取引関係はありませんが、村上正紀氏が学長特別補佐を勤める立命館大学との間には製品販売等の取引関係があります。また、小林弘明氏が顧問を務める東レ(株)との間には製品販売等の取引関係があります。なお、取引の規模・性質に照らして株主・投資者の判断に影響を及ぼすおそれはないと判断されることから、その概要の記載を省略いたします。また、村上正紀氏は当社の株式400株、小林弘明氏は当社の株式1,200株を所有しております。

社外監査役であります木村隆之氏は、他社での経営実績及び法律的見地からの実務経験を活かし、取締役会の意思決定の妥当性・適正性を確保するための助言・提言を行っております。また、社外監査役であります西尾方宏氏は、公認会計士としての専門知識と経験に基づき、取締役会の意思決定の妥当性・適正性を確保するための助言・提言を行っております。

社外監査役2名と当社との間に取引関係はありませんが、西尾方宏氏が社外監査役を務める(株)島津製作所との間には製品販売等の取引関係があります。なお、取引の規模・性質に照らして株主・投資者の判断に影響を及ぼすおそれはないと判断されることから、その概要の記載を省略いたします。

なお、当社は、社外役員を選任するための独立性について特段の定めはありませんが、各々の専門分野や経営に関する豊富な知識、経験等に基づき、客観的または専門的な視点で監督及び監査といった機能、役割が期待され、一般株主と利益相反が生じる恐れがない者を選任しております。

社外取締役2名及び社外監査役2名の計4名は、当社との間に人的関係、資本的関係又は取引関係、その他の利害関係はなく、東京証券取引所の定めに基づく独立役員としての要件を満たしております。なお、社外取締役の村上正紀氏及び小林弘明氏、社外監査役の木村隆之氏及び西尾方宏氏を、東京証券取引所の定めに基づく独立役員として同取引所に届け出ております。

 

③  社外取締役又は社外監査役による監督又は監査と内部監査、監査役監査及び会計監査との相互連携並びに内部統制部門との関係

社長室は、監査役と連携して社内各部門の業務執行状況について定期的な内部監査を行っております。

社外取締役は、取締役会に出席し、内部監査及び会計監査の結果の報告を受け、監査役との情報交換を踏まえて必要に応じて意見を述べております。

社外監査役は、取締役会に出席するほか、定例的に開催される重要な会議に出席し、経営監視の機能を果たしております。また、会計監査人との定期的な意見・情報交換、協議により、効果的な監査役監査を行うなど、監査の実効性を高めております。

会計監査は、有限責任 あずさ監査法人と監査契約を締結し、監査契約に基づき会計監査を受けております。会計監査人と監査役及び社長室は随時、監査の所見や関連情報の交換を行っております。

 

4【関係会社の状況】

該当事項はありません。

【製造原価明細書】

 

 

 

前事業年度

(自  平成29年8月1日

至  平成30年7月31日)

当事業年度

(自  平成30年8月1日

至  令和元年7月31日)

区分

注記番号

金額(千円)

構成比(%)

金額(千円)

構成比(%)

Ⅰ  材料費

 

2,587,473

85.5

2,491,761

84.6

Ⅱ  労務費

 

239,785

7.9

243,937

8.3

Ⅲ  経費

※1

200,529

6.6

209,296

7.1

当期総製造費用

 

3,027,788

100.0

2,944,994

100.0

期首仕掛品たな卸高

 

609,953

 

698,543

 

他勘定受入高

※2

8,413

 

27,899

 

合計

 

3,646,155

 

3,671,437

 

期末仕掛品たな卸高

 

698,543

 

912,352

 

他勘定振替高

※3

107,276

 

93,454

 

当期製品製造原価

 

2,840,335

 

2,665,630

 

(注)

前事業年度

(自  平成29年8月1日

至  平成30年7月31日)

当事業年度

(自  平成30年8月1日

至  令和元年7月31日)

当社の原価計算は、「原価計算基準」に準拠し、要素別、部門別に月別計算を行い、製品別計算では、個別原価計算法によって毎月次実際原価を計算しております。

当社の原価計算は、「原価計算基準」に準拠し、要素別、部門別に月別計算を行い、製品別計算では、個別原価計算法によって毎月次実際原価を計算しております。

※1  経費の主な内訳は次のとおりであります。

※1  経費の主な内訳は次のとおりであります。

 

外注加工費

148,598千円

減価償却費

13,987

 

 

外注加工費

151,176千円

減価償却費

14,749

 

※2  他勘定受入高の内容は次のとおりであります。

※2  他勘定受入高の内容は次のとおりであります。

 

固定資産

8,413千円

 

 

 

固定資産

27,899千円

 

※3  他勘定振替高の内訳は次のとおりであります。

※3  他勘定振替高の内訳は次のとおりであります。

 

固定資産振替高

52,464千円

研究開発費

24,718

たな卸資産評価損

30,093

107,276

 

 

固定資産振替高

60,734千円

研究開発費

32,719

93,454

 

※  販売費及び一般管理費

販売費に属する費用のおおよその割合は前第2四半期累計期間30%、当第2四半期累計期間27%であり、一般管理費に属する費用のおおよその割合は前第2四半期累計期間70%、当第2四半期累計期間73%であります。

主要な費目及び金額は次のとおりであります。

 

  前第2四半期累計期間

(自  平成30年8月1日

    至  平成31年1月31日)

  当第2四半期累計期間

(自  令和元年8月1日

    至  令和2年1月31日)

旅費交通費

68,355千円

69,072千円

製品保証引当金繰入額

16,949

5,298

役員報酬

53,647

60,504

給料手当

331,857

309,366

賞与引当金繰入額

13,283

16,686

法定福利費及び福利厚生費

81,718

94,395

退職給付費用

13,652

12,080

役員退職慰労引当金繰入額

5,445

4,908

賃借料

47,394

48,095

研究開発費

81,057

96,134

減価償却費

19,509

18,381

貸倒引当金繰入額

4

48

租税公課

39,012

36,681

1【設備投資等の概要】

当社で当事業年度に実施いたしました設備投資の総額は76百万円で、主にデモ実験用装置2台の製造に34百万円の設備投資を実施いたしました。

また、当事業年度において重要な設備の除却、売却等はありません。

なお、当社は半導体等電子部品製造装置の製造及び販売事業の単一セグメントであるため、セグメント毎の記載はしておりません。

 

株価(1年)
期間を変更
PER(1年/会予)
期間を変更

その他企業情報

企業価値17,929 百万円
純有利子負債-4,604 百万円
EBITDA・会予1,105 百万円
株数(自己株控除後)8,032,993 株
設備投資額N/A
減価償却費105 百万円
のれん償却費N/A
研究開発費N/A
代表者代表取締役社長    川邊  史
資本金1,664 百万円
住所京都市伏見区竹田藁屋町36番地
会社HPhttps://www.samco.co.jp/

類似企業比較